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项目	太阳能单晶硅片
生长方式	CZ
导电类型	P
掺杂剂	硼B
晶向	<100>
电阻率（Ω.cm）	0.5-3/1-3/3-6
电阻率径向不均匀性	≤10%
直径（mm）	150±0.5/203±0.5
切方规格（mm）	125*125/156*156
少子寿命（цs）	≥10
氧含量（atoms/cm3）	≤1×1018
碳含量（atoms/cm3）       TD>	≤5×1016
位错密度（сm–2）	≤3000
硅片形态	切片
硅片厚度（цm）	200
厚度公差（цm）	±20
总厚度偏差（цm）	≤30
弯曲度（цm）	≤50
表面质量	无孔洞、无裂纹、 无氧化花纹及用户其他要求